Накопичувачі на основі мемристорів можуть з'явитися в 2013 році

admin Новини технологій та техніки

Накопичувачі на основі мемристорівФахівцям компанії Hewlett-Packard вдалося ще на один крок наблизитися до розробки пристроїв зберігання даних нового покоління, заснованих на мемристорах.

Мемристор вважають четвертим пасивним елементом мікросхем після резистора, конденсатора і котушки індуктивності. Можливість існування мемристора була передбачена в 1971 році професором Каліфорнійського університету в Берклі (США) Леоном Чуа (Leon Chua), однак на практиці створити прототип мемристора довгий час не вдавалося.

У 2008 році вчені HP змогли отримати дослідний зразок мемристора. Ключовою особливістю елемента цього типу є гістерезис, коли реакція на вплив залежить від сил, що діяли раніше, тобто стан системи визначається її власною історією. Струм, що проходить через мемристор, призводить до зміни його атомної структури, в результаті чого опір елемента міняється в тисячу і більше разів. Завдяки цьому елемент можна використовувати як елемент пам'яті.

Як тепер повідомляється, фахівці НР, використовуючи рентгенівське випромінювання, змогли встановити, які процеси відбуваються в структурі мемристора в момент проходження через них електричного струму. Крім того, інженери розробили дослідний зразок енергонезалежної пам'яті на основі мемристора, який забезпечує щільність зберігання даних в 12 Гб/см2.

Очікується, що комерційні пристрої на основі мемристорів можуть з'явитися в середині 2013 року. Така пам'ять розглядається як потенційна заміни флеш-пам'яті і пам'яті DRAM.