Нова енергонезалежна пам'ять

admin Новини технологій та техніки

Нова енергонезалежна пам'ятьЕнергонезалежна пам'ять. Групі фахівців токійського університету вдалося розробити технологію незалежної пам'яті, розрахованої на виготовлення із застосуванням стандартного техпроцесу CMOS, що застосовується при випуску логічних мікросхем.

У новій пам'яті як «пастки» для електричного заряду використовується плівка діоксиду кремнію (SiO2), що ізолює затвор транзистора. Раніше вже вдавалося використовувати її для запису і зберігання інформації. Однак процес стирання викликав складності. З цієї причини існувало переконання, що за вказаною технологією можливе виготовлення тільки пам'яті з одноразовим записом.

Вчені запропонували нову технологію, яку вони назвали «схема стирання за допомогою стоку». Для стирання в ній використовується струм, що подається на сток транзистора. Цікаво, що ефект стирання був виявлений одним зі студентів завдяки щасливому випадку. Подробиці явища, що лежить в його основі, до кінця ще не з'ясовані. Прототип, виготовлений за нормами 65 нм, витримує приблизно 100 операцій стирання, а термін зберігання інформації оцінюється в 10 років. Для деяких програм цих показників цілком достатньо.

Ще одна перевага нової пам'яті - маленький розмір комірки (8F2). Це робить її придатною для вбудовування, наприклад, в мікроконтролери та мікропроцесори, де в ній можна було б зберігати вбудоване програмне забезпечення, дані конфігурації або налаштування.